Datasheet Analog Devices LTC7891RUFDM#WPBF — 数据表
| 制造商 | Analog Devices |
| 系列 | LTC7891 |
| 零件号 | LTC7891RUFDM#WPBF |
100V、低I<sub> Q</sub> 、同步降压控制器，适用于采用28引脚QFN封装（4mm x 5mm，塑料面可润湿）的GaN FET。
数据表
Datasheet LTC7891
PDF, 1.7 Mb, 语言: en, 文件上传: Apr 12, 2026, 页数: 36
100 V, Low IQ, Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package
100 V, Low IQ, Synchronous Step-Down Controller for GaN FETs in 28-Lead QFN (4mm x 5mm, Plastic Side Wettable) package
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详细说明
LTC7891 是一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压最高可达 100 V。LTC7891 解决了传统 GaN FET 应用中面临的诸多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 方案相比，LTC7891 简化了应用设计，无需保护二极管或其他额外的外部元件。
内部智能自举开关可防止死区期间 BOOST 引脚到 SW 引脚高侧驱动电源的过充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。LTC7891 内部优化了两个开关边沿的栅极驱动器时序，实现了接近零死区的智能控制，显著提高了效率，即使在高输入电压下也能实现高频工作。此外，用户还可以通过外部电阻调整死区时间来获得裕量或根据应用需求进行定制。
LTC7891 的栅极驱动电压可以精确地从 4 V 调整到 5.5 V，以优化性能，并允许使用不同的 GaN FET，甚至逻辑电平 MOSFET。
模型线
系列: LTC7891 (4)
- LTC7891RUFDM#PBF LTC7891RUFDM#TRPBF LTC7891RUFDM#WPBF LTC7891RUFDM#WTRPBF
制造商分类
- Power Management > Switching Regulators & Controllers
其他名称:
LTC7891RUFDMWPBF, LTC7891RUFDM WPBF