Datasheet Fortune Semiconductor FS8205A — 数据表

双N沟道增强模式功率MOSFET

数据表

PDF, 775 Kb, 语言: en, 文件上传: Jun 3, 2025, 页数: 6
Dual N-Channel Power MOSFET

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先进的功率 MOSFET 采用先进的加工技术，实现低导通电阻、极其高效且经济高效的设备，最适合用于锂离子电池充电和放电开关。

TSSOP8 封装普遍用于所有商业工业应用。

特征：

• 低导通电阻
• RDS(ON) = 27 mΩ 最大值。（VGS = 4.5V，ID = 6A）
• RDS(ON) = 35 mΩ 最大值。（VGS = 2.5V，ID = 5A）
• 共漏型