Datasheet IXYS IXTH44P15T — 数据表

制造商IXYS
系列IXTH44P15T
零件号IXTH44P15T

TrenchP 功率 MOSFET

数据表

Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Kb, 语言: en, 文件上传: Nov 15, 2022, 页数: 8
TrenchP Power MOSFETs
从文件中提取

价格

详细说明

沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用,在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路,避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。

这使设计人员能够减少元件数量,从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外,它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级,用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。

其他选择

IXTA44P15T IXTP44P15T IXTQ44P15T

制造商分类

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate