Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E — 数据表

制造商ON Semiconductor
系列MTP3N60E

1.0 A、20 V、肖特基功率整流器,表面贴装

数据表

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Kb, 语言: en, 文件上传: Sep 27, 2022, 页数: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
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详细说明

肖特基 Powermite 采用肖特基势垒原理,采用势垒金属和外延结构,可产生最佳的正向压降-反向电流折衷。先进的封装技术提供了一种高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热器设计,Powermite 具有与 SMA 相同的热性能,同时占用面积减少 50%,并提供业界最低的高度轮廓之一,< 1.1 mm。由于其体积小,它非常适合用于便携式和电池供电的产品,例如蜂窝和无绳电话、充电器、笔记本电脑、打印机、PDA 和 PCMCIA 卡。典型应用包括交流/直流和直流-直流转换器、电池反向保护、多个电源电压的“Oring”以及性能和尺寸至关重要的任何其他应用。

模型线

系列: MTP3N60E (1)

制造商分类

  • Discretes & Drivers > MOSFETs