Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S — 数据表

制造商UnitedSiC
系列UF3C065080B7S
零件号UF3C065080B7S
Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S

650V-85mW 碳化硅场效应管

数据表

Datasheet UF3C065080B7S
PDF, 441 Kb, 语言: en, 文件上传: Jun 10, 2021, 页数: 10
650V-85mW SiC FET
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详细说明

该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

制造商分类

  • SiC FETs