Datasheets - 碳化硅场效应管 UnitedSiC

小节: "碳化硅场效应管"
制造商: "UnitedSiC"
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UnitedSiC
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  1. Datasheet UnitedSiC UF3SC120040B7S
    1200V-35mW 碳化硅场效应管 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
  2. Datasheet UnitedSiC UF3SC065030B7S
    650V-27mW 碳化硅场效应管 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
  3. Datasheet UnitedSiC UF3C120150B7S
    1200V-150mW 碳化硅共源共栅 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
  4. Datasheet UnitedSiC UF3C065080B7S
    650V-85mW 碳化硅场效应管 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

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