Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — 数据表

制造商STMicroelectronics
系列MASTERGAN4

具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器

数据表

Datasheet MasterGaN4
PDF, 480 Kb, 语言: en, 文件上传: Apr 15, 2021, 页数: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
从文件中提取

价格

详细说明

所有功能
  • 600 V系统级封装,集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管:
    • QFN 9 x 9 x 1毫米封装
    • R DS(开) = 225mΩ
    • I DS(最大) = 6.5 A
  • 反向电流能力
  • 零反向恢复损耗
  • 低端和高端的UVLO保护
  • 内部自举二极管
  • 联锁功能
  • 专用引脚用于关闭功能

状态

MASTERGAN4MASTERGAN4TR
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

打包

MASTERGAN4MASTERGAN4TR
PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MMVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

模型线

系列: MASTERGAN4 (2)

制造商分类

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers