Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICS — 数据表

制造商STMicroelectronics
系列STGAP2SICS

电隔离的4 A单栅极驱动器,用于SiC MOSFET

数据表

Datasheet STGAP2SICS
PDF, 567 Kb, 语言: en, 文件上传: Mar 29, 2021, 页数: 24
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
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价格

详细说明

所有功能
  • 高达1200 V的高压轨
  • 驱动器电流能力:25°C时4 A灌/拉电流
  • dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns
  • 总体输入输出传播延迟:75 ns
  • 分离的接收器和源极选项,可轻松进行栅极驱动配置
  • 4 A Miller CLAMP专用引脚选件
  • UVLO功能

状态

STGAP2SICSSTGAP2SICSCSTGAP2SICSCTRSTGAP2SICSTR
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

打包

STGAP2SICSSTGAP2SICSCSTGAP2SICSCTRSTGAP2SICSTR
PackageSO 8 WIDE 300SO 8 WIDE 300SO 8 WIDE 300SO 8 WIDE 300

模型线

制造商分类

  • Power Management > Gate Drivers > Single Channel Drivers