Datasheet IXYS IX4351NE — 数据表

制造商IXYS
系列IX4351NE

9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

数据表

Datasheet IX4351NE
PDF, 334 Kb, 语言: en, 文件上传: Apr 6, 2020, 页数: 12
9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver
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详细说明

IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。

模型线

系列: IX4351NE (2)

制造商分类

  • Gate Driver