Datasheets - 电阻器 - 3

小节: "电阻器"
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  1. Datasheet Vishay LTA050F2R200FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  2. Datasheet Vishay LTA050F22R00JTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  1. Datasheet Vishay LTA050F22R00FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  2. Datasheet Vishay LTA050F1R000JTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  3. Datasheet Vishay LTA050F1R000FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  4. Datasheet Vishay LTA050F10R00JTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  5. Datasheet Vishay LTA050F10R00FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  6. Datasheet Vishay LTA050F100R0JTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  7. Datasheet Vishay LTA050F100R0FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  8. Datasheet Vishay LTA050F10001JTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  9. Datasheet Vishay LTA050F10001FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  10. Datasheet Vishay LTA050F10000JTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  11. Datasheet Vishay LTA050F10000FTE3
    50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  12. 50 W 功率电阻器厚膜技术 特征 50 W,50 °C 外壳温度,安装散热器 直接将陶瓷安装在散热器上 电阻范围广:0.010 Ω 至 450 kΩ
  13. Dekapot 同轴刻度十进制电位器 这些 Dekapot 电位器是精密十进制电阻分压器,具有开尔文-瓦雷电路的精度、高分辨率和恒定输入阻抗。它们为仪表校准、线性检查、比率测量、同步测试、计算机标准化以及许多其他直流和音频应用提供已知的电压和电流比。
  14. Dekapot 同轴刻度十进制电位器 这些 Dekapot 电位器是精密十进制电阻分压器,具有开尔文-瓦雷电路的精度、高分辨率和恒定输入阻抗。它们为仪表校准、线性检查、比率测量、同步测试、计算机标准化以及许多其他直流和音频应用提供已知的电压和电流比。
  15. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  16. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  17. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。
  18. 高精度箔电阻,TCR 为 ± 2.0 ppm/°C,公差为 ± 0.005 %,负载寿命稳定性为 ± 0.005 % 对于需要高精度和高稳定性的应用,块状金属箔 (BMF) 技术优于当今所有其他电阻技术。该技术由 VISHAY 率先开发,基于该技术的产品最适合各种应用。BMF 技术使我们能够生产以客户为导向的产品,旨在满足具有挑战性和特定的技术要求。