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Datasheets - 参考电压 - 3

小节: "参考电压"
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Analog Devices Diodes Fairchild Intersil Linear Technology Maxim MCC Microchip National Semiconductor Nexperia NXP ON Semiconductor Renesas STMicroelectronics TAEJIN Technology (HTC Korea) Taiwan Semiconductor Texas Instruments Unisonic Technologies
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  1. MAX875AESA+ — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX875 MAX875AESA+
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  2. MAX875AESA+T — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX875 MAX875AESA+T
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  1. MAX875BESA+ — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX875 MAX875BESA+
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  2. MAX875BESA+T — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX875 MAX875BESA+T
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  3. MAX875 — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX875
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  4. MAX873AESA+ — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX873 MAX873AESA+
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  5. MAX873AESA+T — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX873 MAX873AESA+T
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  6. MAX873BESA+ — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX873 MAX873BESA+
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  7. MAX873BESA+T — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX873 MAX873BESA+T
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  8. MAX873 — Datasheet Analog Devices
    参考电压 Analog Devices MAX873
    低功耗、低漂移、+2.5V/+5V/+10V 精密电压基准 MAX873/MAX875/MAX876 精密 2.5V、5V 和 10V 基准源具有出色的精度和极低的功耗。极低的温度漂移以及出色的线路和负载调节能力，使其能够在各种电气和环境条件下稳定工作。MAX873 保证采用 +4.5V 电源供电，非常适合采用 +5V ±10% 电源供电的系统。10Hz 至 1kHz 的低噪声（MAX873、MAX875 和 MAX876 的典型值分别为 3.8µV RMS 、9µV RMS 和 18µV ...
  9. X60003CIG3Z-41T1 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41 X60003CIG3Z-41T1
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  10. X60003BIG3Z-41T1 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41 X60003BIG3Z-41T1
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  11. X60003DIG3Z-41T1 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41 X60003DIG3Z-41T1
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  12. X60003BIG3Z-50T1 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41 X60003BIG3Z-50T1
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  13. X60003CIG3Z-50T1 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41 X60003CIG3Z-50T1
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  14. X60003DIG3Z-50T1 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41 X60003DIG3Z-50T1
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  15. X60003C-41 — Datasheet Renesas
    参考电压 Renesas X60003C-41
    精密 4.096V SOT-23 FGA 电压基准 过时的 X60003 FGA 电压基准是一款采用 Intersil 专有浮栅模拟技术制造的超高精度模拟电压基准，与传统的带隙、埋入式齐纳二极管或 XFET 技术相比，其性能更卓越。FGA 电压基准具有极高的初始精度、极低的温度系数、卓越的长期稳定性、低噪声以及出色的线路和负载调节率，并且功耗目前最低。这些电压基准支持精密工业和便携式系统的高级应用，其运行精度和功耗均远高于传统技术。
  16. V62/19622-01XE — Datasheet Texas Instruments
    参考电压 Texas Instruments TLVH431B-EP V62/19622-01XE
    增强型塑料 0.5% 低压宽工作电流可调精密分流稳压器 TLVH431B-EP 器件是一款低压、三端子、可调基准电压源，在适用的工业和商业温度范围内具有规定的热稳定性。输出电压可通过两个外部电阻设置为 VREF (1.24 V) 至 18 V 之间的任意值（参见图 24）。该器件的工作电压 (1.24 V) 低于广泛使用的 TL431 和 TL1431 分流稳压器基准电压源。 TLVH431B-EP 器件与光耦合器配合使用时，非常适合用作 3 V 至 3.3 V ...
  17. TLVH431BMDBZREP — Datasheet Texas Instruments
    参考电压 Texas Instruments TLVH431B-EP TLVH431BMDBZREP
    增强型塑料 0.5% 低压宽工作电流可调精密分流稳压器 TLVH431B-EP 器件是一款低压、三端子、可调基准电压源，在适用的工业和商业温度范围内具有规定的热稳定性。输出电压可通过两个外部电阻设置为 VREF (1.24 V) 至 18 V 之间的任意值（参见图 24）。该器件的工作电压 (1.24 V) 低于广泛使用的 TL431 和 TL1431 分流稳压器基准电压源。 TLVH431B-EP 器件与光耦合器配合使用时，非常适合用作 3 V 至 3.3 V ...
  18. TLVH431B-EP — Datasheet Texas Instruments
    参考电压 Texas Instruments TLVH431B-EP
    增强型塑料 0.5% 低压宽工作电流可调精密分流稳压器 TLVH431B-EP 器件是一款低压、三端子、可调基准电压源，在适用的工业和商业温度范围内具有规定的热稳定性。输出电压可通过两个外部电阻设置为 VREF (1.24 V) 至 18 V 之间的任意值（参见图 24）。该器件的工作电压 (1.24 V) 低于广泛使用的 TL431 和 TL1431 分流稳压器基准电压源。 TLVH431B-EP 器件与光耦合器配合使用时，非常适合用作 3 V 至 3.3 V ...