Datasheets - AC / DC转换器和控制器 - 3
小节: "AC / DC转换器和控制器"
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- 反激式转换器的自适应同步整流控制器 SRK1001控制器设计用于反激式转换器中的次级侧同步整流（SR），适用于QR和CCM / DCM混合固定频率电路中的操作。 它提供了能够驱动N沟道功率MOSFET的高电流栅极驱动输出。 该IC的控制方案是，一旦电流开始流过其体二极管，SR MOSFET就被打开，然后当电流接近零时被关断。 具有最小延迟的快速导通和创新的自适应关断逻辑使SR MOSFET的导通时间最大化，并消除了电路中的寄生电感的影响。 ...
- 反激式转换器的自适应同步整流控制器 SRK1001控制器设计用于反激式转换器中的次级侧同步整流（SR），适用于QR和CCM / DCM混合固定频率电路中的操作。 它提供了能够驱动N沟道功率MOSFET的高电流栅极驱动输出。 该IC的控制方案是，一旦电流开始流过其体二极管，SR MOSFET就被打开，然后当电流接近零时被关断。 具有最小延迟的快速导通和创新的自适应关断逻辑使SR MOSFET的导通时间最大化，并消除了电路中的寄生电感的影响。 ...
- 反激式转换器的自适应同步整流控制器 SRK1001控制器设计用于反激式转换器中的次级侧同步整流（SR），适用于QR和CCM / DCM混合固定频率电路中的操作。 它提供了能够驱动N沟道功率MOSFET的高电流栅极驱动输出。 该IC的控制方案是，一旦电流开始流过其体二极管，SR MOSFET就被打开，然后当电流接近零时被关断。 具有最小延迟的快速导通和创新的自适应关断逻辑使SR MOSFET的导通时间最大化，并消除了电路中的寄生电感的影响。 ...
高性能反激控制器IC-多模数字，强制频率谐振- 高性能反激控制器IC-多模数字，强制频率谐振
- 二次侧同步整流控制器 APR348是用于同步整流的次级侧MOSFET驱动器，可有效降低次级侧整流器的功耗并提供高性能解决方案。 APR348基于MOSFET导通时间控制技术，可支持连续或不连续导通模式（CCM和DCM）以及准谐振反激式操作。该技术提供了非常快速的开启和关闭延迟，以减少功耗并保持安全操作，而无需添加任何外部组件或电路。 APR348可以配置为高端或低端应用，以适应各种设计需求，它还可以提供高达20V输出电压应用的高性能解决方案。 ...
- 二次侧同步整流控制器 APR348是用于同步整流的次级侧MOSFET驱动器，可有效降低次级侧整流器的功耗并提供高性能解决方案。 APR348基于MOSFET导通时间控制技术，可支持连续或不连续导通模式（CCM和DCM）以及准谐振反激式操作。该技术提供了非常快速的开启和关闭延迟，以减少功耗并保持安全操作，而无需添加任何外部组件或电路。 APR348可以配置为高端或低端应用，以适应各种设计需求，它还可以提供高达20V输出电压应用的高性能解决方案。 ...
- 通用高压降压电源开关 AP3917B / C / D是通用交流高压输入，降压电源开关。主要应用特别适合具有非隔离降压解决方案或离线反激解决方案的家用电器和物联网应用。 与单绕组电感器一起使用并集成650V（AP3917B / C）或700V（AP3917D）MOSFET内部，可以使该设备使用较少的外部组件，并创建低物料清单（BOM）成本的解决方案。 AP3917B / C / ...
- 通用高压降压电源开关 AP3917B / C / D是通用交流高压输入，降压电源开关。主要应用特别适合具有非隔离降压解决方案或离线反激解决方案的家用电器和物联网应用。 与单绕组电感器一起使用并集成650V（AP3917B / C）或700V（AP3917D）MOSFET内部，可以使该设备使用较少的外部组件，并创建低物料清单（BOM）成本的解决方案。 AP3917B / C / ...
- 通用高压降压电源开关 AP3917B / C / D是通用交流高压输入，降压电源开关。主要应用特别适合具有非隔离降压解决方案或离线反激解决方案的家用电器和物联网应用。 与单绕组电感器一起使用并集成650V（AP3917B / C）或700V（AP3917D）MOSFET内部，可以使该设备使用较少的外部组件，并创建低物料清单（BOM）成本的解决方案。 AP3917B / C / ...
- 通用高压降压电源开关 AP3917B / C / D是通用交流高压输入，降压电源开关。主要应用特别适合具有非隔离降压解决方案或离线反激解决方案的家用电器和物联网应用。 与单绕组电感器一起使用并集成650V（AP3917B / C）或700V（AP3917D）MOSFET内部，可以使该设备使用较少的外部组件，并创建低物料清单（BOM）成本的解决方案。 AP3917B / C / ...
- 通用高压降压电源开关 AP3917B / C / D是通用交流高压输入，降压电源开关。主要应用特别适合具有非隔离降压解决方案或离线反激解决方案的家用电器和物联网应用。 与单绕组电感器一起使用并集成650V（AP3917B / C）或700V（AP3917D）MOSFET内部，可以使该设备使用较少的外部组件，并创建低物料清单（BOM）成本的解决方案。 AP3917B / C / ...
- 通用高压降压电源开关 AP3917B / C / D是通用交流高压输入，降压电源开关。主要应用特别适合具有非隔离降压解决方案或离线反激解决方案的家用电器和物联网应用。 与单绕组电感器一起使用并集成650V（AP3917B / C）或700V（AP3917D）MOSFET内部，可以使该设备使用较少的外部组件，并创建低物料清单（BOM）成本的解决方案。 AP3917B / C / ...
- 两通道交错式CCM PFC数字控制器 STNRGPF12数字控制器专为交错式PFC升压拓扑而设计，旨在用于高功率应用。 它具有基于基于可控硅整流器的固态解决方案实现的数字浪涌电流控制。控制器最多可以驱动2个交错的通道。在基于混合信号（模拟/数字）架构的应用中，该器件以固定频率在CCM下以平均电流模式控制工作。可以通过专用软件工具（eDesignSuite）来配置控制器，以匹配各种特定应用。该工具会生成完整的原理图，其中包括材料的完整列表以及要下载到IC的最终二进制目标代码（FW）。
- 两通道交错式CCM PFC数字控制器 STNRGPF12数字控制器专为交错式PFC升压拓扑而设计，旨在用于高功率应用。 它具有基于基于可控硅整流器的固态解决方案实现的数字浪涌电流控制。控制器最多可以驱动2个交错的通道。在基于混合信号（模拟/数字）架构的应用中，该器件以固定频率在CCM下以平均电流模式控制工作。可以通过专用软件工具（eDesignSuite）来配置控制器，以匹配各种特定应用。该工具会生成完整的原理图，其中包括材料的完整列表以及要下载到IC的最终二进制目标代码（FW）。
- 1050 V高压转换器 该器件是一款高压转换器，巧妙地集成了1050 V雪崩耐用型电源部分和PWM电流模式控制。 1050 V-BV功率MOSFET可以扩展输入电压范围，并减小DRAIN缓冲电路的尺寸。该IC具有非常低的功耗，并且在轻载下以突发模式工作，因此符合最严格的节能标准。 集成的HV启动，sense-FET，误差放大器和带有抖动的振荡器，可在设计最少元件的情况下实现完整的应用。 ...
- 1050 V高压转换器 该器件是一款高压转换器，巧妙地集成了1050 V雪崩耐用型电源部分和PWM电流模式控制。 1050 V-BV功率MOSFET可以扩展输入电压范围，并减小DRAIN缓冲电路的尺寸。该IC具有非常低的功耗，并且在轻载下以突发模式工作，因此符合最严格的节能标准。 集成的HV启动，sense-FET，误差放大器和带有抖动的振荡器，可在设计最少元件的情况下实现完整的应用。 ...
- 1050 V高压转换器 该器件是一款高压转换器，巧妙地集成了1050 V雪崩耐用型电源部分和PWM电流模式控制。 1050 V-BV功率MOSFET可以扩展输入电压范围，并减小DRAIN缓冲电路的尺寸。该IC具有非常低的功耗，并且在轻载下以突发模式工作，因此符合最严格的节能标准。 集成的HV启动，sense-FET，误差放大器和带有抖动的振荡器，可在设计最少元件的情况下实现完整的应用。 ...
具有集成650 V MOSFET的离线CV / CC反激开关IC 这是一个主动产品，不建议用于新设计。 建议的替代方案： InnoSwitch3-CP InnoSwitch™-CP系列IC极大地简化了低电压，大电流电源的开发和制造，尤其是那些紧凑型外壳或有高效率要求的电源。 InnoSwitch-CP体系结构是革命性的，因为该器件将初级和次级控制器以及感应元件和安全等级反馈机制集成到单个IC中。 ...- 具有集成650 V MOSFET的离线CV / CC反激开关IC 这是一个主动产品，不建议用于新设计。 建议的替代方案： InnoSwitch3-CP InnoSwitch™-CP系列IC极大地简化了低电压，大电流电源的开发和制造，尤其是那些紧凑型外壳或有高效率要求的电源。 InnoSwitch-CP体系结构是革命性的，因为该器件将初级和次级控制器以及感应元件和安全等级反馈机制集成到单个IC中。 ...