Datasheets - 电子保险丝 - 2
小节: "电子保险丝"
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具有BFET驱动器的5V，5A，28mО©eFuse用于反向电流保护10-VSON -40至125
具有BFET驱动器的12V，3.7A，28mО©eFuse反向电流保护10-VSON -40至125
12V，3.7A，28mО©BFET驱动器，用于反向电流保护10-VSON -40至125- 具有BFET驱动器的18V，5A，28mО©eFuse反向电流保护10-VSON -40至85
- 具有BFET驱动器的12V，5A，28mО©eFuse用于反向电流保护10-VSON -40至85
- 具有BFET驱动器的5V，5A，28mО©eFuse用于反向电流保护10-VSON -40至85
18V，1.6A，90mО©eFuse具有可调的+/- 2％准确电流限制8-SOIC -40至85
18V，1.6A，90mО©eFuse具有可调的+/- 2％准确电流限制8-SOIC -40至85
20V，6.5A，30mО©eFuse可调+/- 15％准确电流限制16-QFN -40至125
具有双重故障阈值和可选故障响应的20V，5.5A，30mО©eFuse 16-QFN -40至125
具有可调电流限制和过压钳位的6.5V汽车高端负载开关6-WSON -40至125
具有过压钳位6-WSON的6.5 V / 2.8 A eFuse -40至125
具有IMON和PG 36-VQFN的18V，12A，3mО©eFuse -40至85
具有IMON和PG 36-VQFN的18V，12A，3mО©eFuse -40至85
20V，5A，33mО©eFuse与PG 8-SO PowerPAD -40至125
20V，5A，33mО©eFuse与PG 8-SO PowerPAD -40至125
具有双重故障阈值，IMON和PG 16-QFN的20V，5A，33mО©eFuse -40至125- 具有过压保护的12V eFuse 8-WSON -40至125
0-3A，7-15V单路热插拔IC高侧MOSFET，睡眠模式下20mA IQ，通信温度24-TSSOP 0至70
0至3A，7至15V单路热插拔IC高侧MOSFET，休眠模式下100uA IQ，工业温度16-SOIC -40至85