Datasheets - TVS二极管和阵列-瞬态电压抑制器 Nexperia
小节: "TVS二极管和阵列-瞬态电压抑制器"
制造商: "Nexperia"
制造商
Alpha & Omega Bourns Diodes Littelfuse Nexperia Semtech STMicroelectronics Taiwan Semiconductor TDK Torex Toshiba Vishay系列
MMBZ10VAL MMBZ12VAL MMBZ15VAL MMBZ18VAL MMBZ20VAL MMBZ27VAL MMBZ33VAL MMBZ5V6AL MMBZ6V2AL MMBZ6V8AL MMBZ9V1AL NXS0506UP PESD12VL1BA PESD15VL1BA PESD24VL1BA PESD2CANFD54LT-Q PESD2CANFD54VT-Q PESD2CANFD60LT-Q PESD2CANFD60VT-Q PESD2CANFD72LT-Q PESD2CANFD72VT-Q PESD2V8R1BSF PESD3V3L1BA PESD4V0Z2BCDF PESD5V0C2BDF PESD5V0L1BA PUSB3BB2DF搜索结果: 64 输出量: 1-20
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车载网络的 ESD 保护 ESD 保护装置采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护两条汽车车载网络总线免受静电放电 (ESD) 和其他瞬变造成的损坏。- 车载网络的 ESD 保护 ESD 保护装置采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护两条汽车车载网络总线免受静电放电 (ESD) 和其他瞬变造成的损坏。
- 车载网络的 ESD 保护 ESD 保护装置采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，旨在保护两条汽车车载网络总线免受静电放电 (ESD) 和其他瞬变造成的损坏。
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SD 3.0 兼容存储卡集成自动方向控制和电平转换器，带 EMI 滤波器和 ESD 保护 NXS0506 是一款兼容 SD 3.0 的双向双电源电平转换器，具有自动-方向控制功能。它旨在连接工作在 1.7 V 至 3.6 V 信号电平的存储卡和标称电源电压为 1.1 V 至 1.95 V 的主机。该器件支持 SD 3.0：SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12 和 SD 2.0 高速-速度 (50 MHz) 和默认-速度 (25 MHz) ...- SD 3.0 兼容存储卡集成自动方向控制和电平转换器，带 EMI 滤波器和 ESD 保护 NXS0506 是一款兼容 SD 3.0 的双向双电源电平转换器，具有自动-方向控制功能。它旨在连接工作在 1.7 V 至 3.6 V 信号电平的存储卡和标称电源电压为 1.1 V 至 1.95 V 的主机。该器件支持 SD 3.0：SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12 和 SD 2.0 高速-速度 (50 MHz) 和默认-速度 (25 MHz) ...
极低的钳位低电容ESD保护 对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，是TrEOS保护系列的一部分。该器件封装在DFN0603-3（SOT8013）无铅超小型表面贴装器件（SMD）封装中，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。- 极低的钳位低电容ESD保护 对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，是TrEOS保护系列的一部分。该器件封装在DFN0603-3（SOT8013）无铅超小型表面贴装器件（SMD）封装中，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。
极低的钳位低电容ESD保护 对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，是TrEOS保护系列的一部分。该器件封装在DFN0603-3（SOT8013）无铅超小型表面贴装器件（SMD）封装中，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。- 极低的钳位低电容ESD保护 对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，是TrEOS保护系列的一部分。该器件封装在DFN0603-3（SOT8013）无铅超小型表面贴装器件（SMD）封装中，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。
- 极低的钳位低电容ESD保护 对称双向静电放电（ESD）保护二极管阵列，是TrEOS保护系列的一部分。该器件封装在DFN0603-3（SOT8013）无铅超小型表面贴装器件（SMD）封装中，旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬变造成的损坏。
- 低电容单向双ESD保护二极管
排序方式: 关联 / 日期