Datasheets - 马达/运动/点火控制器和驱动器 Infineon - 2
小节: "马达/运动/点火控制器和驱动器"
制造商: "Infineon"
制造商
Active-Semi Allegro Alpha & Omega Asahi Kasei Microdevices Atmel Efficient Power Conversion Elmos Infineon Melexis Microchip ON Semiconductor Performance Motion Devices Power Integrations STMicroelectronics Texas Instruments Toshiba TRINAMIC家庭:
系列
6EDL7141 BTN8962TA BTN8982TA IFX007T IKCM15F60GA IKCM15F60GD IKCM15F60HA IM231-L6S1B IM231-L6T2B IM231-M6S1B IM231-M6T2B IM512-L6A IM513-L6A IM818-MCC IM818-SCC IM828-XCC IMD111T-6F040 IMD112T-6F040搜索结果: 36 输出量: 21-36
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600 V三相智能电源模块- 600 V三相智能电源模块
600 V三相智能电源模块- 600 V三相智能电源模块
- IFX007T是用于电机驱动应用的集成式大电流半桥。它是工业和多用途NovalithIC系列的一部分，该系列包含一个p通道高端MOSFET和一个n通道低端MOSFET，并在一个封装中集成了驱动器IC。由于采用了p通道高端开关，因此无需电荷泵，从而将EMI降至最低。集成的驱动器IC易于集成到微控制器，该驱动器具有逻辑电平输入，电流检测诊断，压摆率调整，停滞时间生成以及针对过热，欠压，过流和短路的保护。 ...
- IFX007T是用于电机驱动应用的集成式大电流半桥。它是工业和多用途NovalithIC系列的一部分，该系列包含一个p通道高端MOSFET和一个n通道低端MOSFET，并在一个封装中集成了驱动器IC。由于采用了p通道高端开关，因此无需电荷泵，从而将EMI降至最低。集成的驱动器IC易于集成到微控制器，该驱动器具有逻辑电平输入，电流检测诊断，压摆率调整，停滞时间生成以及针对过热，欠压，过流和短路的保护。 ...
CIPOSTM MaxiIntelligent功率模块三相逆变器拓扑结构，采用双列直插式模压封装，额定电压为1200 V，10 A，额定功率最高为1.5 kW。- CIPOSTM MaxiIntelligent功率模块三相逆变器拓扑结构，采用双列直插式模压封装，额定电压为1200 V，10 A，额定功率最高为1.5 kW。
- CIPOSTM Maxi智能功率模块三相逆变器拓扑结构采用双列直插式模压封装，额定电压为1200 V，5 A，额定功率最高为750W。
- CIPOSTM Maxi智能功率模块三相逆变器拓扑结构采用双列直插式模压封装，额定电压为1200 V，5 A，额定功率最高为750W。
- IM512系列是高效的智能电源模块（IPM），用于控制高达400W的低功率电动机驱动器的交流电动机。与基于IGBT的IPM相比，集成的CoolMOS MOSFET通过降低功率损耗（特别是在轻载条件下运行的系统），大大提高了功率效率。这样可以通过降低功耗来节省整个系统的能源并节省成本。
- IM512系列是高效的智能电源模块（IPM），用于控制高达400W的低功率电动机驱动器的交流电动机。与基于IGBT的IPM相比，集成的CoolMOS MOSFET通过降低功率损耗（特别是在轻载条件下运行的系统），大大提高了功率效率。这样可以通过降低功耗来节省整个系统的能源并节省成本。
- IM513系列是高效的智能电源模块（IPM），用于控制高达600W的低功率电动机驱动器的交流电动机。与基于IGBT的IPM相比，集成的CoolMOS MOSFET通过降低功率损耗（特别是在轻载条件下运行的系统），大大提高了功率效率。这样可以通过降低功耗来节省整个系统的能源并节省成本。
- IM513系列是高效的智能电源模块（IPM），用于控制高达600W的低功率电动机驱动器的交流电动机。与基于IGBT的IPM相比，集成的CoolMOS MOSFET通过降低功率损耗（特别是在轻载条件下运行的系统），大大提高了功率效率。这样可以通过降低功耗来节省整个系统的能源并节省成本。
- 大电流PN半桥
- 大电流PN半桥
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