Datasheet FS8205A (Fortune Semiconductor) - 6
| 制造商 | Fortune Semiconductor |
| 描述 | Dual N-Channel Power MOSFET |
| 页数 / 页 | 6 / 6 — FS8205A FO. Fo P R. r R ro TU. ef pe NE. er rti. en s. y 10. Package … |
| 文件格式/大小 | PDF / 775 Kb |
| 文件语言 | 英语 |
FS8205A FO. Fo P R. r R ro TU. ef pe NE. er rti. en s. y 10. Package Information 11. Revision History. Version Date Page 1.0
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文件文字版本
FS8205A FO
Fo P R
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ef pe NE
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en s
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O
nl
y 10. Package Information 11. Revision History
Version Date Page 1.0
1.1 2009/02/10
2009/04/28 3~4 1.2 2009/08/04 3~4 1.3
1.4
1.5 2010/06/02
2010/06/10
2011/04/27 3~4
4
4 1.6
1.7
1.8 2014/05/22
2016/08/22
2025/05/09 2
3
3 Rev. 1.8 Description Version 1.0 released
Rds25 TYP 25mohm MAX 32mohm
Rds45 TYP 20mohm MAX 25mohm
ID @TA = 25℃
6A
ID @TA = 70℃
5A
ID pulse 300μS 25A
Rds25 TYP 27mohm MAX 35mohm
Rds45 TYP 21mohm MAX 25mohm
Rds25 ID：3A
Rds45 ID：4A
Rds45 TYP 22mohm MAX 27mohm
IDSS Test Conditions：VDS=16V VGS=0V Rds25 TYP：30mohm MAX：37mohm
Rds45 TYP：23mohm MAX：28mohm
VGS(th) MIN：0.45V MAX：1.2V
IGSS MAX：±0.1uA Revised company address
Revise Package Marking Information
Modified Quantity/Reel from 3000 to 4000 6/6
Fo P R
r R ro TU
ef pe NE
er rti
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nl
y 10. Package Information 11. Revision History
Version Date Page 1.0
1.1 2009/02/10
2009/04/28 3~4 1.2 2009/08/04 3~4 1.3
1.4
1.5 2010/06/02
2010/06/10
2011/04/27 3~4
4
4 1.6
1.7
1.8 2014/05/22
2016/08/22
2025/05/09 2
3
3 Rev. 1.8 Description Version 1.0 released
Rds25 TYP 25mohm MAX 32mohm
Rds45 TYP 20mohm MAX 25mohm
ID @TA = 25℃
6A
ID @TA = 70℃
5A
ID pulse 300μS 25A
Rds25 TYP 27mohm MAX 35mohm
Rds45 TYP 21mohm MAX 25mohm
Rds25 ID：3A
Rds45 ID：4A
Rds45 TYP 22mohm MAX 27mohm
IDSS Test Conditions：VDS=16V VGS=0V Rds25 TYP：30mohm MAX：37mohm
Rds45 TYP：23mohm MAX：28mohm
VGS(th) MIN：0.45V MAX：1.2V
IGSS MAX：±0.1uA Revised company address
Revise Package Marking Information
Modified Quantity/Reel from 3000 to 4000 6/6