Datasheet SFH 484 (OSRAM) - 3
| 制造商 | OSRAM |
| 描述 | GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) |
| 页数 / 页 | 14 / 3 — Version 1.0. SFH 484. Characteristics. Kennwerte Parameter. Symbol. … |
| 文件格式/大小 | PDF / 258 Kb |
| 文件语言 | 英语 |
Version 1.0. SFH 484. Characteristics. Kennwerte Parameter. Symbol. Values. Unit. Bezeichnung. Werte. Einheit
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Version 1.0 SFH 484 Characteristics
(TA = 25 °C)
Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Peak wavelength (typ) λpeak 880 nm Emissionswel enlänge (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Spectral bandwidth at 50% of Imax (typ) Δλ 80 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Half angle (typ) ϕ ± 8 ° Halbwinkel Dimensions of active chip area (typ) L x W 0.3 x 0.3 mm x Abmessungen der aktiven Chipfläche mm Distance chip surface to lens top H 5.1 ... 5.7 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Rise and fal times of Ie ( 10% and 90% of Ie max) (typ) tr / tf 600 / 500 ns Schaltzeiten von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 Ω) Capacitance (typ) C0 15 pF Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz) Forward voltage (typ (max)) VF 1.5 (≤ 1.8) V Durchlassspannung (IF = 100 mA, tP = 20 ms) Forward voltage (typ (max)) VF 3 (≤ 3.8) V Durchlassspannung (IF = 1 A, tp = 100 μs) Reverse current (typ (max)) IR 0.01 (≤ 1) µA Sperrstrom (VR = 5 V) Total radiant flux (typ) Φe 25 mW Gesamtstrahlungsfluss (IF= 100 mA, tp= 20 ms) 2010-11-29 3 Document Outline Features: Besondere Merkmale: Applications Anwendungen Notes Hinweise Ordering Information Bestellinformation Maximum Ratings Grenzwerte Characteristics Kennwerte Grouping Gruppierung Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission Radiant Intensity Strahlstärke Forward Current Durchlassstrom Forward Current vs. Lead Length between the package bottom and the PCB Flussstrom gg. Beinchenlänge zwischen Gehäuseunterseite und PCB Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik Package Outline Maßzeichnung Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Disclaimer Disclaimer Glossary Glossar
(TA = 25 °C)
Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Peak wavelength (typ) λpeak 880 nm Emissionswel enlänge (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Spectral bandwidth at 50% of Imax (typ) Δλ 80 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax (IF = 100 mA, tp = 20 ms) Half angle (typ) ϕ ± 8 ° Halbwinkel Dimensions of active chip area (typ) L x W 0.3 x 0.3 mm x Abmessungen der aktiven Chipfläche mm Distance chip surface to lens top H 5.1 ... 5.7 mm Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Rise and fal times of Ie ( 10% and 90% of Ie max) (typ) tr / tf 600 / 500 ns Schaltzeiten von Ie ( 10% und 90% von Ie max) (IF = 100 mA, RL = 50 Ω) Capacitance (typ) C0 15 pF Kapazität (VR = 0 V, f = 1 MHz) Forward voltage (typ (max)) VF 1.5 (≤ 1.8) V Durchlassspannung (IF = 100 mA, tP = 20 ms) Forward voltage (typ (max)) VF 3 (≤ 3.8) V Durchlassspannung (IF = 1 A, tp = 100 μs) Reverse current (typ (max)) IR 0.01 (≤ 1) µA Sperrstrom (VR = 5 V) Total radiant flux (typ) Φe 25 mW Gesamtstrahlungsfluss (IF= 100 mA, tp= 20 ms) 2010-11-29 3 Document Outline Features: Besondere Merkmale: Applications Anwendungen Notes Hinweise Ordering Information Bestellinformation Maximum Ratings Grenzwerte Characteristics Kennwerte Grouping Gruppierung Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission Radiant Intensity Strahlstärke Forward Current Durchlassstrom Forward Current vs. Lead Length between the package bottom and the PCB Flussstrom gg. Beinchenlänge zwischen Gehäuseunterseite und PCB Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik Package Outline Maßzeichnung Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Disclaimer Disclaimer Glossary Glossar