Datasheet Renesas TP65B110HRU — 数据表
| 制造商 | Renesas |
| 系列 | TP65B110HRU |

采用TOLT封装的650V 110mΩ高压GaN双向开关
数据表
Datasheet TP65B110HRU
PDF, 1.6 Mb, 语言: en, 文件上传: May 21, 2026, 页数: 15
650V 110mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch in TOLT Package
650V 110mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch in TOLT Package
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详细说明
TP65B110HRU 是一款基于瑞萨电子第一代 SuperGaN 双向平台的 650V 110mΩ 共漏极双向开关 (BDS)。它采用最小的封装尺寸和一流的开关性能,可在两个方向上导通电流并阻断电压。该器件集成了单片式双向高压耗尽型 GaN 和常关型低压硅 MOSFET,从而为高级功率应用提供卓越的性能、高阈值电压以兼容标准栅极驱动、易于集成以及强大的可靠性。
模型线
系列: TP65B110HRU (1)
制造商分类
- Power Discretes > GaN Power Discretes // Integrated Circuits (ICs) > Power Management (PMIC) > Power Distribution Switches, Load Drivers