Datasheets - 二极管-齐纳单 Vishay - 2

小节: "二极管-齐纳单"
制造商: "Vishay"
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  1. Datasheet Vishay MMBZ5248C-E3-18
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  2. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  1. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  2. Datasheet Vishay MMBZ5245B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  3. Datasheet Vishay MMBZ5244B-HE3-18
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  4. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  5. Datasheet Vishay MMBZ5242C-HE3-18
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  6. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  7. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  8. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  9. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  10. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  11. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  12. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  13. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  14. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  15. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  16. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  17. 小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
  18. Datasheet Vishay MMBZ5227B-E3-08
    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s

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