Datasheets - MOSFET单晶体管 Fairchild
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Fairchild"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed系列
2N7000, 2N7002, NDS7002A BSS100 BSS123 BUZ11 FDC5614P FDC6312P FDD4141 FDD6637 FDMS86500L FDMS8690 FDN302P FDN304P FDN337N FDN359AN FDS6675 FDS6679 FDS7788 FDV301N FDV303N FQP13N10 FQP13N10L IRF530A NDS0610 NDS8947 NDS9948 RF1S30N06LESM RFP30N06LE SI9424DY搜索结果: 798 输出量: 1-20
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- 单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -30V、-11A、14mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过专门定制，可最大程度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合笔记本电脑应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 这些 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管是使用 Fairchild 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能。 该产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 这些 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管是使用 Fairchild 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能。 该产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
- P 沟道、POWERTRENCH、逻辑电平 MOSFET 此 60 V P 沟道 MOSFET 使用 onsemi 的高压 POWERTRENCH 工艺。它针对电源管理应用进行了优化。
- P 通道 PowerTrench MOSFET，30V，-13A，9mΩ 该 P 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器和电池充电器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。这些 MOSFET 具有比其他具有可比 R DS(ON) 规格的 MOSFET 更快的开关和更低的栅极电荷。结果是一个易于驱动且更安全的 MOSFET（即使在非常高的频率下），以及具有更高整体效率的 DC/DC 电源设计。
- N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V、2.7A、46mΩ 这种 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
- 35V P 沟道 PowerTrench MOSFET
N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管- 数字 FET，N 沟道
零件编号： FDN302P 制造商： 飞兆半导体 说明：MOSFET，P，SMD，SSOT-3 下载数据表 案卷： FDN302P 2000年10月 FDN302P P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET 一般说明 规格： 连续漏极电流Id：-2.4 A 电流最大值：-2.4 A 漏源电压Vds：-20 V 安装类型：SMD 针数：3 抵抗阻力Rds（on）：55 MOhm 包装/箱：SuperSOT-3 功耗：500 mW Rds（on）测试电压Vgs：-4.5 V ...- 数字 FET，N 沟道 规格： 连续漏极电流 Id：220 mA 电流 ID 最大值：220 mA 当前温度：25°C 漏源电压 Vds：25 V ESD HBM：6 kV 外部深度：2.5 毫米 外部长度/高度：1.12 毫米 外宽：3.05 毫米 全功率额定温度：25°C 安装类型：贴片 引脚数：3 晶体管数量：1 电阻 Rds(on): 5 Ohm 包装/箱：SOT-23 功耗：350 mW 脉冲电流 Idm：500 mA Rds(on) 测试电压 Vgs：2.7 V ...
- 30V N 沟道 PowerTrench MOSFET
- 双P通道增强模式场效应晶体管
- 单P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET
- 双P通道PowerTrench MOSFET，1.8V指定，-20V，-2.3A，115mΩ
- P通道1.8V额定PowerTrench MOSFET -20V，-2.4A，52mΩ
- 30A，60V，ESD额定，0.047 Ohm，逻辑电平N沟道功率MOSFET
30A，60V，ESD额定，0.047 Ohm，逻辑电平N沟道功率MOSFET 规格： P30N06LE 连续漏极电流Id：30 A 电流最大值：30 A 当前温度：25°C 漏源电压Vds：60 V 满功率额定温度：25°C 引线间距：2.54 mm 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 上电阻Rds（on）：47 MOhm 工作温度范围：-55°C至+ 175°C 包装/箱：TO-220AB 功耗Pd：96 W 脉冲电流Idm：100 A Rds（on）测试电压Vgs：5 V ...- P通道增强模式场效应晶体管-60V，-0.12A，10Ω
- P通道PowerTrench®MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ
排序方式: 关联 / 日期