Datasheets - 模拟开关,多路复用器 - 2

小节: "模拟开关,多路复用器"
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  1. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  2. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  1. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  2. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  3. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  4. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  5. 1Ω、低电压、单电源、SPDT 模拟开关 MAX4624/MAX4625是低导通电阻、低电压单刀双掷(SPDT)模拟开关,采用+1.8V至+5.5V单电源供电。 MAX4624 具有先开后合开关; MAX4625 具有先接后断开关。这些器件还具有快速开关速度(tON = 50ns 最大值,tOFF = 50ns 最大值)。 采用+5V电源供电时,MAX4624/MAX4625提供1Ω最大导通电阻(RON),最大RON匹配度和平坦度为0.12Ω。使用单个 +5V 电源时,数字逻辑输入与 TTL ...
  6. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  7. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  8. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  9. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  10. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  11. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  12. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  13. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  14. Datasheet Texas Instruments 1P1G66QDBVRQ1
    汽车类单模拟开关5-SOT-23 -40至125
  15. Datasheet Texas Instruments 1P1G3157QDCKRQ1
    汽车类单刀双掷模拟开关6-SC70 -40至125
  16. Datasheet Texas Instruments 1P1G66QDBVRG4Q1
    汽车类单模拟开关5-SOT-23 -40至125
  17. Datasheet Texas Instruments 1P1G3157QDBVRQ1
    汽车类单刀双掷模拟开关6-SOT-23 -40至125
  18. 0.28 Ω、CMOS、1.65 V至3.6 V、单通道单刀单掷开关,采用SC70封装,输入为逻辑1时闭合