Datasheets - 模拟开关,多路复用器 Analog Devices

小节: "模拟开关,多路复用器"
制造商: "Analog Devices"
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  1. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  2. 0.4 Ω CMOS 1.8 V 至 5.5 V SPST 开关 ADG801 和 ADG802 是单片 CMOS 单刀单掷 (SPST) 开关,导通电阻小于 0.4 Ω。这些开关采用先进的亚微米工艺设计,具有极低的导通电阻、高开关速度和低漏电流。 低导通电阻 ( 0.4 Ω) 使这些部件非常适合低导通电阻切换至关重要的应用。 ADG801 开关常开 (NO),而 ADG802 常闭 (NC)。每个开关在开启时在两个方向上的导电性都一样好。
  1. CMOS 3 V/5 V、宽带四路 2:1 多路复用器
  2. CMOS 低压 2.5 Ω 双路 SPDT 开关 ADG736 是一款单片器件,包含两个可独立选择的 CMOS 单刀双掷 (SPDT) 开关。这些开关采用亚微米工艺设计,可提供低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和宽输入信号带宽。
  3. 0.28 Ω、CMOS、1.65 V至3.6 V、单通道单刀单掷开关,采用SC70封装,输入为逻辑1时闭合
  4. 低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关
  5. 0.4 Ω、CMOS、双通道双刀双掷开关,采用WLCSP/LFCSP/TSSOP封装
  6. 低电容、低电荷注入、 iCMOS™ ± 15/12 V 4:1 多路复用器
  7. 低电容、8通道、±15 V/+12 V iCMOS® 多路复用器
  8. 低电容、4通道、±15 V/+12 V iCMOS™ 多路复用器
  9. 低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关
  10. 低电容、低电荷注入、±15 V/+12 V iCMOS、四通道单刀单掷开关
  11. 低电容, ±15 V/12 V iCMOS™ 、三通道单刀双掷开关
  12. 低电容, 15 V/12 V iCMOS ® 、四通道单刀双掷开关
  13. 低电容、低电荷注入、 15 V/12 V iCMOS、双通道单刀双掷开关
  14. 8通道±15 V/+12 V多路复用器
  15. 4通道±15 V/+12 V多路复用器
  16. ± 15 V /12 V四通道单刀单掷常开开关
  17. ± 15 V /12 V 四通道单刀单掷常闭开关
  18. ± 15 V /12 V四通道单刀单掷开关

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