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二极管-齐纳单
Datasheets - 二极管-齐纳单 - 9
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二极管-齐纳单
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MMBZ5245B-E3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5245
MMBZ5245B-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5244 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5244
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5243 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5243
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5242 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5242
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5241B-E3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5241
MMBZ5241B-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5240 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5240
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5239C-E3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5239
MMBZ5239C-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5238 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5238
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5237B-E3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5237
MMBZ5237B-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5236 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5236
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5235 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5235
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5234 — Datasheet Vishay
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MMBZ5234
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5233B-E3-18 — Datasheet Vishay
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MMBZ5233
MMBZ5233B-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5232B-E3-08 — Datasheet Vishay
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MMBZ5232
MMBZ5232B-E3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5225C-HE3-08 — Datasheet Vishay
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MMBZ5225
MMBZ5225C-HE3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5226 — Datasheet Vishay
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MMBZ5226
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5227B-HE3-08 — Datasheet Vishay
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MMBZ5227
MMBZ5227B-HE3-08
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5228 — Datasheet Vishay
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MMBZ5228
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5229 — Datasheet Vishay
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MMBZ5229
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5230 — Datasheet Vishay
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MMBZ5230
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
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