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二极管-齐纳单
Datasheets - 二极管-齐纳单 - 8
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二极管-齐纳单
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MMBZ5265C-HE3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5265
MMBZ5265C-HE3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5264 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5264
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5263C-HE3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5263
MMBZ5263C-HE3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5262 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5262
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5261B-HE3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5261
MMBZ5261B-HE3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5260 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5260
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5259 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5259
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5258 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5258
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5257B-HE3-18 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5257
MMBZ5257B-HE3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5256 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5256
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5255 — Datasheet Vishay
二极管-齐纳单
Vishay
MMBZ5255
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5254 — Datasheet Vishay
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MMBZ5254
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5253C-E3-18 — Datasheet Vishay
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MMBZ5253
MMBZ5253C-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5252 — Datasheet Vishay
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MMBZ5252
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5251 — Datasheet Vishay
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MMBZ5251
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5250 — Datasheet Vishay
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MMBZ5250
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5249C-E3-18 — Datasheet Vishay
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MMBZ5249
MMBZ5249C-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5248 — Datasheet Vishay
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MMBZ5248
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5247C-E3-18 — Datasheet Vishay
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Vishay
MMBZ5247
MMBZ5247C-E3-18
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
MMBZ5246 — Datasheet Vishay
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MMBZ5246
小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码:SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %,带有“B”后缀(例如:MMBZ5225B),后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接:端子处 260 °C/4 x 10 s
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