Datasheets - 二极管-齐纳单 - 8

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141. 1N4461 — Datasheet Microchip
     二极管-齐纳单 Microchip 1N4461
     无空隙密封 1.5 瓦玻璃齐纳二极管 该齐纳稳压器系列符合 MIL-PRF-19500/406 军用标准，是不能容忍故障的高可靠性应用的理想选择。这些行业认可的 1.5 瓦齐纳稳压器采用内部冶金结合的无空隙玻璃结构进行气密密封。它包括 3.3 至 200 伏的齐纳选择，标准容差为 5%。还提供 1% 和 2% 容差版本。 Microsemi 还提供许多其他齐纳产品，以满足通孔和表面贴装封装中更高和更低的额定功率。
142. MMBZ5267C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

143. MMBZ5266 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
144. MMBZ5265B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
145. MMBZ5264 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
146. MMBZ5263B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
147. MMBZ5262B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5262 MMBZ5262B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
148. MMBZ5261 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5261
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
149. MMBZ5260 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5260
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
150. MMBZ5259 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
151. MMBZ5258B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
152. MMBZ5257 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
153. MMBZ5256 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
154. MMBZ5255 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
155. MMBZ5254B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
156. MMBZ5253C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
157. MMBZ5252 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
158. MMBZ5251 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
159. MMBZ5250 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5250
     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
160. MMBZ5249C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5249 MMBZ5249C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s