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数据表光耦合器/光耦合器

Datasheets - 光耦合器/光耦合器 - 3

小节: "光耦合器/光耦合器"
制造商
Broadcom CEL Everlight Fairchild First Silicon Honeywell Kingbright Lite-On ON Semiconductor OSRAM PerkinElmer Renesas Sharp Silonex Toshiba Vishay
搜索结果: 620 输出量: 41-60

视图: 清单 / 图片

  1. PC824 — Datasheet Sharp
    光耦合器/光耦合器 Sharp PC814 PC824
    交流输入光电耦合器
  2. PC844 — Datasheet Sharp
    光耦合器/光耦合器 Sharp PC814 PC844
    交流输入光电耦合器
  1. PC814 — Datasheet Sharp
    光耦合器/光耦合器 Sharp PC814
    交流输入光电耦合器
  2. NSL-32SR3S — Datasheet Silonex
    光耦合器/光耦合器 Silonex NSL-32SR3S
    光耦合器
  3. KP-2012P3C — Datasheet Kingbright
    双极型单晶体管 Kingbright KP-2012P3C
    光耦合器/光耦合器 Kingbright KP-2012P3C
    NPN 硅光电晶体管芯片
  4. TLP521-4 — Datasheet Toshiba
    光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-4
    东芝光电耦合器
  5. TLP521-2 — Datasheet Toshiba
    光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-2
    东芝光电耦合器
  6. TLP521-1 — Datasheet Toshiba
    光耦合器/光耦合器 Toshiba TLP521-1
    东芝光电耦合器
  7. H11F1SM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1SM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  8. H11F1TVM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1TVM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  9. H11F1SR2M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1SR2M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  10. H11F1VM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M H11F1VM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  11. H11F1M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  12. H11F1M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F1M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  13. H11F3SR2M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SR2M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  14. H11F3SM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  15. H11F3SVM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SVM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  16. H11F3SR2VM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3SR2VM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  17. H11F3VM — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M H11F3VM
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。
  18. H11F3M — Datasheet ON Semiconductor
    光耦合器/光耦合器 ON Semiconductor H11F3M
    6 引脚 DIP 双边模拟 FET 输出光电耦合器 H11FXM 系列由与对称双边硅光电探测器耦合的镓铝砷 IRED 发光二极管组成。该检测器与输入电气隔离，其性能类似于理想的隔离 FET，专为低电平交流和直流模拟信号的无失真控制而设计。 H11FXM 系列器件采用双列直插式封装。