Datasheets - 门驱动器 - 3
小节: "门驱动器"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMIC搜索结果: 308 输出量: 41-60
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带有集成自举二极管和DSO-14封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
带有集成自举二极管和DSO-8封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 带有集成自举二极管的650 V，2.5 A大电流高侧和低侧栅极驱动器IC，采用DSO-8封装
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，带有集成自举二极管和DSO-14封装中的停机功能
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，具有集成自举二极管和DSO-8封装的停机功能
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，具有集成自举二极管和DSO-8封装的停机功能
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，0.7 A半桥栅极驱动器，带集成自举二极管，采用DSO-8封装
- 650 V，0.7 A高端和低端栅极驱动器，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，0.7 A高端和低端栅极驱动器，采用DSO-8封装，集成了自举二极管
- 采用DFN5x6封装的GaN电源IC 这些器件是基于650 V功率GaN HEMT的功率IC，采用专有的（美国专利中的）硅E型GaN技术。栅极驱动器与主功率晶体管集成在一起，从而实现了快速开关，高系统功率密度和低成本。边沿触发窄脉冲用于控制设备的开启/关闭。这导致了较高的抗噪声能力，并且在半桥应用中为高端开关的隔离和电平转换提供了小型且廉价的变压器。
- 采用DFN5x6封装的GaN电源IC 这些器件是基于650 V功率GaN HEMT的功率IC，采用专有的（美国专利中的）硅E型GaN技术。栅极驱动器与主功率晶体管集成在一起，从而实现了快速开关，高系统功率密度和低成本。边沿触发窄脉冲用于控制设备的开启/关闭。这导致了较高的抗噪声能力，并且在半桥应用中为高端开关的隔离和电平转换提供了小型且廉价的变压器。
- 隔离式精密半桥驱动器，0.1A输出
- 隔离式精密半桥驱动器，0.1A输出
- 具有集成高端电源的隔离式半桥驱动器