Datasheets - 门驱动器 - 2
小节: "门驱动器"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMIC搜索结果: 308 输出量: 21-40
视图: 清单 / 图片
采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为7 V。 ...- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为4 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为11.5 V。 ...
- 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS（开） = 225mΩ I DS（最大） = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
- 电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
- 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压，低端和高端的R DS（ON）分别 为150mΩ和225mΩ，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列（X3 ...
5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器，具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列（X3 ...- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。
- 电隔离4 A单栅极驱动器 STGAP2HS是单个栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电流隔离。 栅极驱动器具有4 A的能力和轨至轨输出，使该器件还适合中高功率应用，例如工业应用中的功率转换和电机驱动器逆变器。该设备有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻器来独立优化导通和关断。具有单输出引脚和Miller CLAMP功能的配置可防止半桥拓扑快速换相期间的栅极尖峰。两种配置均可为外部组件提供高度的灵活性并减少材料清单。 ...
- 80 V，12.5 A ePower级 额定输出电流（1 MHZ）（1），12.5 A 工作PWM频率范围（2），3 MHz 工作输入电压范围，60 V 偏置电源电压，12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
- 80 V增强模式GaN功率晶体管半桥
- 60 V增强模式GaN功率晶体管半桥
- 具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列
- 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
- 适用于汽车14-SOIC的4A，6A，3.75kVRMS隔离式双通道栅极驱动器-40至125