Datasheets

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  1. Datasheet NXP PMN50XP,165
    P沟道TrenchMOS极低级FET
  2. Datasheet Nexperia PMN50XP,165
    P沟道TrenchMOS极低级FET
  1. Datasheet NXP BC846DS
    65 V,100 mA NPN / NPN通用晶体管对 规格: 集电极发射极电压V(br)ceo:65 V 直流集电极电流:100 mA 直流电流增益:200 针数:6 工作温度范围:-55°C至+ 150°C 功耗:250 mW 晶体管外壳样式:SOT-457 晶体管极性:NPN RoHS:是的 SVHC:否SVHC(2011年12月19日)