Datasheets - 晶体管,晶体管阵列和模块 ON Semiconductor

小节: "晶体管,晶体管阵列和模块"
制造商: "ON Semiconductor"
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  1. 功率 MOSFET 33 安培,100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  2. 功率 MOSFET 20 安培,200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  1. 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道