Datasheets - 单FET、MOSFET ON Semiconductor - 2

小节: "单FET、MOSFET"
制造商: "ON Semiconductor"
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  1. N沟道650V,12mΩ,D2PAK-7L碳化硅MOSFET 碳化硅(SiC)MOSFET使用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括最高的效率,更快的工作频率,增加的功率密度,减少的EMI和减小的系统尺寸。
  2. 功率MOSFET -500V -2A 6欧姆单P通道TO-220 这种高压MOSFET使用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力,而不会随着时间的推移而降低性能。此外,该功率MOSFET旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极至源极二极管。这些器件专为电源,转换器和PWM电机控制中的高压,高速开关应用而设计,特别适合于二极管速度和整流安全工作区域至关重要的桥接电路,并提供了防止意外电压瞬变的额外安全裕度。
  1. 双P通道PowerTrench MOSFET,额定1.8V,-20V,-2.3A,115mΩ
  2. 双N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET 20V,7.5A,18mΩ
  3. P通道1.8V额定PowerTrench MOSFET -20V,-2.4A,52mΩ
  4. 具有ESD保护的20V互补小信号MOSFET
  5. P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET -20V,-10A,13mΩ
  6. P通道PowerTrench MOSFET,-40V,-50A,12.3mΩ 这款P沟道MOSFET使用专有的PowerTrench技术生产,具有低R DS(on) 和优化的Bvdss功能,可在应用中提供卓越的性能优势。以及优化的开关性能,可减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。
  7. 单P通道逻辑电平PowerTrench MOSFET -20V,-1.3A,200mΩ
  8. N通道2.5V额定PowerTrench™MOSFET 20V,1.7A,70mΩ
  9. 功率MOSFET 60 V,20 A,逻辑电平,P通道DPAK
  10. P通道增强模式场效应晶体管-60V,-0.12A,10Ω
  11. N通道逻辑电平功率MOSFET 100V,12A,200mΩ
  12. N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管,50V,220mA
  13. N通道增强模式场效应晶体管60V,0.28A,5Ω
  14. N通道增强模式场效应晶体管60V,0.115A,7.5Ω
  15. N通道增强模式场效应晶体管60V,200mA,5Ω
  16. 功率MOSFET,P通道 ,QFET®,-60 V,-27 A,70毫欧,TO-220
  17. 的N-沟道PowerTrench MOSFET®60V,158A,2.5mΩ
  18. N沟道功率沟道MOSFET 30V,27A,9.0mΩ

排序方式: 关联 / 日期