Datasheets - 单FET、MOSFET Nexperia - 2

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• 单FET、MOSFET

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21. PSMN1R0-40ULD — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PSMN1R0-40ULD
    SOT1023A具有改进的爬电距离和电气间隙，满足UL2595要求，采用先进的TrenchMOS超结技术，采用150°C LFPAK56封装的280A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品已针对高性能电源开关应用进行了设计和认证。
22. PSMN0R9-30ULDX — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PSMN0R9-30ULD PSMN0R9-30ULDX
    SOT1023A具有改进的爬电距离和电气间隙，符合UL2595要求。 LFPAK56封装的300 Amp逻辑电平栅极驱动N沟道增强模式MOSFET。利用Nexperia独特的“ SchottkyPlusPlus”技术的NextPowerS3产品组合可提供高效率，低尖峰性能，通常与带有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流的问题。 NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效率应用。

23. PMV60EN — Datasheet Nexperia
    单FET、MOSFET Nexperia PMV60EN
    N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
24. PSMN0R9-25YLC — Datasheet Nexperia -
    单FET、MOSFET Nexperia PSMN0R9-25YLC
    采用NextPower技术的LFPAK中的N沟道25 V 0.99mΩ逻辑电平MOSFET

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