Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN2 — 数据表

制造商STMicroelectronics
系列MASTERGAN2

具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器

数据表

Datasheet MASTERGAN2
PDF, 1.6 Mb, 语言: en, 文件上传: Feb 7, 2021, 页数: 29
High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
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详细说明

MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。

集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。
MASTERGAN2在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围允许与微控制器,DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
MASTERGAN2在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。
该器件采用紧凑的9x9 mm QFN封装。

状态

MASTERGAN2MASTERGAN2TR
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)Active (Recommended for new designs)

打包

MASTERGAN2MASTERGAN2TR
PackageVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MMVFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM

模型线

系列: MASTERGAN2 (2)

制造商分类

  • Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers