Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN2TR — 数据表
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | MASTERGAN2 |
| 零件号 | MASTERGAN2TR |
具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器
数据表
Datasheet MASTERGAN2
PDF, 1.6 Mb, 语言: en, 文件上传: Feb 7, 2021, 页数: 29
High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
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详细说明
MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。
集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压，低端和高端的R DS（ON）分别为150mΩ和225mΩ，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。
MASTERGAN2在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。
输入引脚的扩展范围允许与微控制器，DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。
MASTERGAN2在-40°C至125°C的工业温度范围内工作。
该器件采用紧凑的9x9 mm QFN封装。
状态
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
打包
| Package | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM |
模型线
系列: MASTERGAN2 (2)
- MASTERGAN2 MASTERGAN2TR
制造商分类
- Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers