Datasheet Renesas HIP2211 — 数据表

制造商Renesas
系列HIP2211

具有HI / LI输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器

数据表

Datasheet HIP2210, HIP2211
PDF, 608 Kb, 语言: en, 文件上传: Jul 2, 2020, 页数: 28
100V, 3A Source, 4A Sink, High Frequency Half-Bridge Drivers with Tri-Level PWM Input and Adjustable Dead Time
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详细说明

HIP2211是一款100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入,并且与流行的瑞萨电子桥驱动器(例如HIP2101和ISL2111)引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。

该驱动器具有强大的3A源,4A宿驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。

HIP2211提供8 Ld SOIC,8 Ld 4x4mm DFN和10 Ld 4x4mm TDFN封装。

其他选择

HIP2210

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