Datasheet Renesas HIP2210 — 数据表

制造商Renesas
系列HIP2210

具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V,3A电源,4A灌电流,高频半桥驱动器

数据表

Datasheet HIP2210, HIP2211
PDF, 608 Kb, 语言: en, 文件上传: Jul 2, 2020, 页数: 28
100V, 3A Source, 4A Sink, High Frequency Half-Bridge Drivers with Tri-Level PWM Input and Adjustable Dead Time
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详细说明

HIP2210是一个100V,3A电源,4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入,具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。

该驱动器具有强大的3A源,4A灌驱动器,具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配,因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。

HIP2210 PWM引脚的三级输入通过一个引脚控制高端和低端驱动器。当PWM输入为逻辑高电平时,高端桥式FET导通,而低端FET截止。当输入为逻辑低电平时,低端桥式FET导通,高端FET截止。当输入电压处于中间电平状态时,高端和低端桥式FET均被关闭。 PWM阈值电平与VREF引脚上的外部输入参考电压成比例,从而允许PWM在2.7V至5.5V逻辑范围内工作。

HIP2210采用10 Ld 4x4mm TDFN封装。

其他选择

HIP2211

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