Datasheet IXYS IXTY02N50D — 数据表

制造商IXYS
系列IXTY02N50D
零件号IXTY02N50D
Datasheet IXYS IXTY02N50D

高压功率MOSFET

数据表

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Kb, 语言: en, 文件上传: May 15, 2020, 页数: 4
High VoltagePower MOSFET
从文件中提取

价格

详细说明

与常规增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此,它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态,但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换,固态继电器,电流调节器和有功负载。

包装类型:TO-252

其他选择

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTU02N50D IXTU02N50D

制造商分类

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode