Datasheet Maxim MAX22702E — 数据表

制造商Maxim
系列MAX22702E

超高CMTI隔离式栅极驱动器

数据表

Datasheet MAX22700D, MAX22700E, MAX22701D, MAX22701E, MAX22702D, MAX22702E
PDF, 1.2 Mb, 语言: en, 文件上传: Dec 24, 2019, 页数: 30
Ultra-High CMTI Isolated Gate Drivers
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详细说明

具有高CMTI的集成隔离可提高SiC栅极驱动器的鲁棒性

MAX22700–MAX22702是单通道隔离式栅极驱动器系列,具有300kV /μs(典型值)的超高共模瞬变抗扰度(CMTI)。这些器件旨在驱动各种逆变器或电机控制应用中的碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)晶体管。所有器件均采用Maxim专有的工艺技术集成了数字电流隔离。这些器件具有多种选件,其中包括栅极驱动器公共引脚GNDB(MAX22700),米勒钳位(MAX22701)和可调欠压锁定UVLO(MAX22702)的输出选项。此外,还提供了差分(D版本)或单端(E版本)输入形式。这些设备在具有不同电源域的电路之间传输数字信号。该系列中的所有设备均具有隔离功能,可承受60秒钟3kVRMS的额定电压。

所有器件均支持最小20ns的脉冲宽度和2ns的最大脉冲宽度失真。在+ 25°C的环境温度下,部件间的传播延迟在2ns(最大值)之内匹配,在-40°C至+ 125°C的工作温度范围内,其匹配时间在5ns(最大值)之内。此功能减少了功率晶体管的死区时间,从而提高了整体效率。

低端驱动器的MAX22700和MAX22702的最大RDSON为1.25Ω,低端驱动器的MAX22701和RD22的RDSON为2.5Ω。所有器件的高端驱动器最大RDSON为4.5Ω。请参阅订购信息以获取与每个选项关联的后缀。

MAX22700–MAX22702可用于驱动具有不同输出栅极驱动电路和B侧电源电压的SiC或GaN FET。有关详细信息,请参见典型工作电路。

MAX22700–MAX22702系列的所有器件均采用8引脚,窄体SOIC封装,爬电距离和电气间隙为4mm。封装材料的最小比较跟踪指数(CTI)为600V,这使其在爬电表中具有I组等级。所有器件的额定工作温度为-40°C至+ 125°C。

其他选择

MAX22700D MAX22700E MAX22701D MAX22701E MAX22702D

模型线

系列: MAX22702E (1)

制造商分类

  • Interface > Isolation ICs