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SiHFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
SiHFU9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRL-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFU9310
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IRFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
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IRFU9310PbF
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IRFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310TRRPbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
IRFR9310TRRPbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310TRPbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
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IRFR9310
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晶体管,晶体管阵列和模块
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功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310TRLPbF-BE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
IRFR9310TRLPbF-BE3
晶体管,晶体管阵列和模块
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IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
IRFR9310PbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
IRFR9310TRLPbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFR9310
IRFR9310TRLPbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
FDS6675 — Datasheet Fairchild
MOSFET单晶体管
Fairchild
FDS6675
单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -30V、-11A、14mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产,该工艺经过专门定制,可最大程度地降低导通电阻,同时保持较低的栅极电荷,从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合笔记本电脑应用:负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
BDX44 — Datasheet Philips
双极型单晶体管
Philips
BDX44
双极阵列和模块
Philips
BDX44
NPN 达林顿晶体管
BDX43 — Datasheet Philips
双极型单晶体管
Philips
BDX43
双极阵列和模块
Philips
BDX43
NPN 达林顿晶体管
BDX42 — Datasheet Philips
双极型单晶体管
Philips
BDX42
双极阵列和模块
Philips
BDX42
NPN 达林顿晶体管
LS7084N — Datasheet LSI Computer Systems
数据转换器-专用
LSI Computer Systems
LS7084N
正交时钟转换器
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